SI5517DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI5517DU-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.19 |
10+ | $1.063 |
100+ | $0.8289 |
500+ | $0.6848 |
1000+ | $0.5406 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® ChipFet Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Leistung - max | 8.3W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | SI5517 |
SI5517DU-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI5517DU-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
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SI5517DU-T1-GE3DKR-ND SILI
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2024/01/31
2024/09/11
2024/01/20
SI5517DU-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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